中國(guó)化學(xué)會(huì)第一屆全國(guó)表界面科學(xué)會(huì)議
2025年5月9日-5月12日
主辦單位：中國(guó)化學(xué)會(huì)物理化學(xué)學(xué)科委員會(huì)　　承辦單位：北京大學(xué)納米器件物理與化學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
重要日期： 會(huì)前繳費(fèi)優(yōu)惠期至2025年4月11日　征稿截止2025年4月11日　
第4分會(huì)：半導(dǎo)體界面與缺陷  主席：羅鋒、郭宇錚、劉釗，胡春峰
編號(hào) 論文標(biāo)題 報(bào)告人 時(shí)間 操作
2025年05月10日
第3時(shí)段 口頭報(bào)告（Oral） 207B 天府廳 胡袁源
04-KN-001 硅基異質(zhì)半導(dǎo)體界面的原子制造與器件 張建軍 13:30-13:50 關(guān)注
04-KN-002 Self-passivation reduces the Fermi level pinning in the metal-semiconductor contacts 駱軍委 13:50-14:10 關(guān)注
04-I-001 復(fù)合晶體表界面的精準(zhǔn)構(gòu)筑及其性能 寧印 14:10-14:25 關(guān)注
04-I-002 層狀半導(dǎo)體的聲子腔和光學(xué)腔效應(yīng) 林妙玲 14:25-14:40 關(guān)注
04-I-003 低維半導(dǎo)體界面的新奇量子相 婁文凱 14:40-14:55 關(guān)注
04-I-004 氧化物薄膜中的垂直界面效應(yīng)研究 楊浩 14:55-15:10 關(guān)注
04-O-001 二維激子輸運(yùn)與超快動(dòng)力學(xué)調(diào)控 齊鵬飛 15:10-15:20 關(guān)注
04-O-002 鐵電極化和缺陷遷移共同作用下的β'-In2Se3電阻轉(zhuǎn)變特性 王林 15:20-15:30 關(guān)注
第4時(shí)段 口頭報(bào)告（Oral） 207B 天府廳 寧印
04-KN-003 二維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)界面耦合的拉曼光譜研究 譚平恒 15:45-16:05 關(guān)注
04-KN-004 寬帶隙半導(dǎo)體器件缺陷陷阱無(wú)損表征技術(shù)及演化機(jī)理研究 馮士維 16:05-16:25 關(guān)注
04-I-005 有機(jī)半導(dǎo)體缺陷與摻雜研究 胡袁源 16:25-16:40 關(guān)注
04-I-006 石墨烯中的聲子贗磁場(chǎng) 張東波 16:40-16:55 關(guān)注
04-I-007 超高真空環(huán)境制備大面積少層MoS2-Au(111)模型異質(zhì)界面 明方飛 16:55-17:10 關(guān)注
04-I-008 硅基異質(zhì)外延III-V族低維結(jié)構(gòu)材料的表/界面與性能調(diào)控 楊曉光 17:10-17:25 關(guān)注
04-O-003 缺陷半導(dǎo)體單層中電子摩擦能量耗散的超快動(dòng)力學(xué) 劉歡 17:25-17:35 關(guān)注
04-O-004 MoS2/H-DLC復(fù)合薄膜宏觀大尺度超滑性能研究 余國(guó)民 17:35-17:45 關(guān)注
04-O-005 Si基界面的第一性原理研究：以β-Quartz SiO2/Si和a-HfO2/Si界面為例 鐘紅霞 17:45-17:55 關(guān)注
2025年05月11日
第1時(shí)段 口頭報(bào)告（Oral） 207B 天府廳 譚青海
04-KN-005 納米多層膜界面缺陷探測(cè)及其調(diào)控 王占山 08:30-08:50 關(guān)注
04-KN-006 基于先進(jìn)光譜橢偏的低維半導(dǎo)體光學(xué)與介電性質(zhì)表征 谷洪剛 08:50-09:10 關(guān)注
04-I-009 Surface and Interface Engineering for Multistate Ferroelectricity and Nonreciprocal Transport in Two-Dimensional Quantum Materials 黃華卿 09:10-09:25 關(guān)注
04-I-010 稀土離子摻雜缺陷發(fā)光調(diào)控 張正龍 09:25-09:40 關(guān)注
04-O-006 黑磷的電化學(xué)插層模型研究 馮晴亮 09:40-09:50 關(guān)注
04-O-007 鈣鈦礦晶體表面缺陷的測(cè)量與發(fā)光動(dòng)力學(xué)研究 朱益志 09:50-10:00 關(guān)注
第2時(shí)段 口頭報(bào)告（Oral） 207B 天府廳 黃華卿
04-KN-007 高質(zhì)量二維材料的可控制備 劉碧錄 10:15-10:35 關(guān)注
04-KN-008 氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面二維電子氣的自旋性質(zhì) 唐寧 10:35-10:55 關(guān)注
04-I-011 Donor–acceptor pair quantum emitters in van der Waals materials 譚青海 10:55-11:10 關(guān)注
04-I-012 二維氧化鋅半導(dǎo)體表面摻雜缺陷的第一性原理研究 韓冬 11:10-11:25 關(guān)注
04-I-013 疊層過(guò)渡金屬硫化物的可控制備 劉松 11:25-11:40 關(guān)注
04-O-008 化學(xué)氣相沉積法可控制備二維磁性拓?fù)浣^緣體MnBi2Te4 Hui Guo 11:40-11:50 關(guān)注
04-O-009 折疊石墨烯邊緣偽朗道能級(jí)分裂誘導(dǎo)的量子摩擦 劉釗 11:50-12:00 關(guān)注
第3時(shí)段 口頭報(bào)告（Oral） 207B 天府廳 胡春光
04-KN-009 同步輻射X射線技術(shù)在半導(dǎo)體材料表征與器件缺陷檢測(cè)中的應(yīng)用 羅鋒 13:30-13:50 關(guān)注
04-KN-010 單原子尺度精準(zhǔn)的半導(dǎo)體點(diǎn)缺陷的光譜表征 劉雷 13:50-14:10 關(guān)注
04-I-014 基于s-SNOM對(duì)熔石英的致密化進(jìn)行納米級(jí)定量表征 閆英 14:10-14:25 關(guān)注
04-I-015 同步輻射X射線原位研究氮化物半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)中的表界面動(dòng)力學(xué) 鞠光旭 14:25-14:40 關(guān)注
04-I-016 二維錫基鹵化物鈣鈦礦的異質(zhì)集成及激光研究 師恩政 14:40-14:55 關(guān)注
04-I-017 半導(dǎo)體/超導(dǎo)體異質(zhì)界面的原子構(gòu)造及物態(tài)調(diào)控 潘東 14:55-15:10 關(guān)注
04-O-010 半導(dǎo)體領(lǐng)域用陶瓷涂層熱力學(xué)測(cè)試技術(shù)及標(biāo)準(zhǔn)化 孫與康 15:10-15:20 關(guān)注
04-O-011 極性界面超快動(dòng)力學(xué)研究 劉永輝 15:20-15:30 關(guān)注
第4時(shí)段 口頭報(bào)告（Oral） 207B 天府廳 閆英
04-KN-011 寬禁帶GaN基半導(dǎo)體器件中界面及缺陷問(wèn)題研究 趙麗霞 15:45-16:05 關(guān)注
04-KN-012 光電材料載流子動(dòng)力學(xué) 田文明 16:05-16:25 關(guān)注
04-I-018 金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的穩(wěn)定性 劉川 16:25-16:40 關(guān)注
04-I-019 鈣鈦礦半導(dǎo)體界面新奇物性與能量損失 保秦?zé)?/td> 16:40-16:55 關(guān)注
04-I-020 氧化物光電計(jì)算與器件物理 葛琛 16:55-17:10 關(guān)注
04-I-021 表界面高靈敏度光譜測(cè)量方法及應(yīng)用研究 胡春光 17:10-17:25 關(guān)注
04-I-022 基于表面科學(xué)的光刻性能調(diào)控策略 朱慧娥 17:25-17:40 關(guān)注
04-I-023 半導(dǎo)體深孔槽內(nèi)刻蝕殘留元素的定量分析 趙弇斐 17:40-17:55 關(guān)注
2025年05月12日
第1時(shí)段 口頭報(bào)告（Oral） 207B 天府廳 楊迎國(guó)
04-I-024 晶體管缺陷與可靠性模擬器MARS 劉岳陽(yáng) 08:30-08:45 關(guān)注
04-I-025 低功耗柔性晶體管器件的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜設(shè)計(jì)與界面調(diào)控 尹志剛 08:45-09:00 關(guān)注
04-I-026 Ga2O3超薄膜生長(zhǎng)及單晶表面特性研究 何云斌 09:00-09:15 關(guān)注
04-I-027 基于UV光超高分辨率顯微鏡在半導(dǎo)體器件制造過(guò)程的應(yīng)用 劉志平 09:15-09:30 關(guān)注
04-I-028 蔡司半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)解決方案 何浩楠 09:30-09:45 關(guān)注
04-I-029 二維材料中疇的近場(chǎng)光學(xué)成像與調(diào)控 駱越 09:45-10:00 關(guān)注
第2時(shí)段 口頭報(bào)告（Oral） 207B 天府廳 劉岳陽(yáng)
04-I-030 新型功能薄膜器件的表界面微結(jié)構(gòu)研究 楊迎國(guó) 10:15-10:40 關(guān)注
04-I-031 無(wú)機(jī)納米晶/有機(jī)分子半導(dǎo)體界面三線態(tài)能量轉(zhuǎn)移及應(yīng)用 羅消 10:40-11:05 關(guān)注
04-I-032 鉛鹵鈣鈦礦量子點(diǎn)表界面光物理與自旋調(diào)控 馮東海 11:05-11:30 關(guān)注
04-I-033 非晶Ga2O3缺陷調(diào)控在X射線探測(cè)中的應(yīng)用研究 梅增霞 11:30-11:55 關(guān)注
04-I-034 金屬鹵化物結(jié)構(gòu)調(diào)控及X射線探測(cè)與成像的研究 臧志剛 11:55-12:20 關(guān)注
2025年05月10日
第2時(shí)段 墻報(bào)（Poster） 會(huì)議中心二層四川廳（主會(huì)場(chǎng)）續(xù)廳 TBD
04-P-001 Unveiling the Effects of Anions on Photoelectrochemical Etching of Gallium Nitride 梁匯鏘 12:30-13:30 關(guān)注
04-P-002 β-Ga2O3(100)單晶表面特性研究 李昊勃 12:30-13:30 關(guān)注
04-P-003 氧化銻薄膜的表面制備及缺陷調(diào)控 楊雪晴 12:30-13:30 關(guān)注
04-P-004 Crystal phase-dependent optical properties of CoMn-based spinel oxides for solar thermal conversion 馬會(huì)蘭 12:30-13:30 關(guān)注
04-P-005 Atomic level insight into the variation and tunability of band alignment between Si and amorphous SiO2/HfO2 李文峰 12:30-13:30 關(guān)注
04-P-006 通過(guò)調(diào)控電荷捕獲改善二維WSe2 FET的可靠性：基于第一性原理的論證 yu zhao 12:30-13:30 關(guān)注
04-P-007 CrOCl誘導(dǎo)的PbI2納米片中面內(nèi)光學(xué)各向異性 徐韜 12:30-13:30 關(guān)注
04-P-008 基于二維紫磷烯分子/界面結(jié)構(gòu)的機(jī)械特性研究 張博 12:30-13:30 關(guān)注
04-P-009 Tunable band offsets of functional groups modification diamond (111)/carbon nanotube heterostructures 黃婕伊 12:30-13:30 關(guān)注
04-P-010 Fundamental Understanding and Control of variability and reliability in Ferroelectric FETs 黃元銓 12:30-13:30 關(guān)注
04-P-011 β-Ga?O?/AlN異質(zhì)結(jié)中極性依賴的能帶偏移和二維電子氣的第一性原理研究 段忻磊 12:30-13:30 關(guān)注
04-P-012 h-BN Passivation for Trap State Engineering in MoS?-based Photodetectors 許宇航 12:30-13:30 關(guān)注
04-P-013 Theoretical Insights into the Two-Dimensional Gallium Oxide Monolayer for Adsorption and Gas Sensing of C4F7N Decomposition Products Rong Han 12:30-13:30 關(guān)注
04-P-014 鐵電介質(zhì)層缺陷表征 袁鴻燁 12:30-13:30 關(guān)注
04-P-015 Switching characteristics of H-diamond field effect transistors with h-BN gate dielectric featuring native point defects 桂慶忠 12:30-13:30 關(guān)注
第2時(shí)段 僅提交論文（自由交流） 會(huì)議中心二層四川廳（主會(huì)場(chǎng)）續(xù)廳 TBD
04-A-001 以MOF為載體的過(guò)渡金屬儲(chǔ)能材料設(shè)計(jì) 袁詩(shī)雨 12:30-13:30 關(guān)注
04-A-002 MoS2/石墨烯異質(zhì)結(jié)界面的電控摩擦 高新晨 12:30-13:30 關(guān)注
04-A-003 量子摩擦的微觀機(jī)制與增強(qiáng)策略 魏蕓蕓 12:30-13:30 關(guān)注


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